芯片描述
芯片特點(diǎn)
○ | 1k×14-bit OTP ROM | ○ | 48×8-bit SRAM | |
○ | 5級(jí)堆??臻g | ○ | 可編程WDT預(yù)分頻器 | |
○ | 可編程WDT時(shí)間(4.5ms、18ms、72ms、288ms),可控制WDT自由運(yùn)行時(shí)間 | ○ | 帶信號(hào)源選擇、觸發(fā)沿選擇以及溢出中斷的8位實(shí)時(shí)時(shí)鐘/計(jì)數(shù)器(TCC) | |
○ |
工作電壓范圍: 1.8V~5.5V(-0℃~70℃);2.3V~5.5V(-40℃~85℃) |
○ |
工作頻率范圍(2分頻): 20KHz~10MHz @5V;20KHz~4MHz @3V;20KHz~2MHz @1.8V |
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○ |
低功耗: 小于2mA(4MHz/5V) 小于30?A(32kHz/3V) 小于1?A(睡眠模式,WDT關(guān)閉,LVD關(guān)閉) |
○ | 內(nèi)置RC振蕩電路:455kHz、1MHz、4MHz、8MHz | |
○ | 低壓復(fù)位:1.8V±0.3V、1.6V±0.3V @25℃ | ○ | 低壓檢測(cè)(可復(fù)用為低壓復(fù)位):2.4±0.2V、2.7±0.2V、3.6±0.2V、3.9±0.2V @25℃ | |
○ |
6個(gè)中斷源: 外部中斷 PWM中斷 TCC溢出中斷 LVD中斷(可喚醒) WDT中斷(可喚醒) 輸入端口狀態(tài)改變產(chǎn)生中斷(可喚醒) |
○ |
雙向I/O口: 11位可編程控制pull-high I/OS(P1<7:4>,P1<2:0>,P0<3:0>) 7位可編程控制open-drain I/OS(P1<7:4>,P1<2:0>) 11位可編程控制pull-low I/OS(P1<7:4>,P1<2:0>,P0<3:0>) |
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○ | 指令周期長(zhǎng)度選擇:2/4/8個(gè)振蕩時(shí)鐘 | ○ | 封裝形式:SFM8P154BACO(SOP14)、 SFM8P154BACP(DIP14) |
芯片框圖
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