芯片描述
芯片特點
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存儲器配置 程序存儲器OTPROM:4K*16bits 數(shù)據(jù)存儲器SRAM:256*8bits 堆棧:8級 LCD顯示存儲器:4*16bits |
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I/O端口配置 雙向端口:P0,P1,P2,P3 喚醒:P0 上拉電阻:P0,P1 外部中斷:P0 高灌電流:P2,P3 |
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指令集 指令周期為1個時鐘 所有指令長度都是1個字 絕大部分指令為1個指令周期 最大的最高周期為“2” 跳轉(zhuǎn)指令可以跳轉(zhuǎn)到整個ROM區(qū)域 高灌電流:P2,P3 CPU頻率有4個選項:HRC/4、/8、/16、/32 |
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兩個8位定時器 T0:時基定時器,內(nèi)置0.5S RTC模式 TC0:自動重置 Timer/Counter/PWM0/Buzzer |
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1個Buzzer輸出 Buzzer Output P03,可配置頻率 0.98K / 1.96K / 3.9K/ 7.8K |
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可編程增益放大器 增益選項:1x/4x/8x/16x/32x/64x/128x /200x |
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20-bit Sigma-Delta ADC ADC增益選項:1x/2x ADC偏置選項:(-1/4, -2/4, -3/4)* Vref ADC中斷和Green模式喚醒功能 4個ADC通道,可配置為: 2組全差分通道 4個獨立通道 |
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5個中斷源 3個內(nèi)部中斷: T0, TC0, ADC 2個外部中斷:INT0/INT1,UART(TX,RX) |
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單電源供電 2.4~3.6V(模擬部分) 2.0~3.6V(數(shù)字部分) |
○ | 內(nèi)置看門狗定時器 | |
○ | 內(nèi)置電壓調(diào)制器(AVDDR),2.4V輸出電壓、大10mA驅(qū)動電流(可選擇2.4V、2.8V、3.2V) | ○ | 內(nèi)置電壓調(diào)制器AVE,可選 2V/1.5V/0.75/1V | |
○ | 內(nèi)置1.2V帶隙基準電壓,可以作為電池電壓監(jiān)測 | ○ | 內(nèi)置2.2~3.6V的LBT,具有 8 段檢測電壓設(shè)置與外部輸入電壓檢測功能 | |
○ | 內(nèi)置ADC參考電壓 0.23V~1.6V | ○ | 帶低壓燒錄功能,內(nèi)部生成6.5V的ISP燒錄電壓 | |
○ | 內(nèi)置有溫度傳感器 | ○ |
LCD 驅(qū)動 1/3 or 1/2 bias 可選 4 common * 16 segment 可驅(qū)動電阻及電容型LCD 電容型LCD電壓范圍:2.6 ~3.3V R-type Mode |
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○ | P2/P3具有大電流驅(qū)動能力,可驅(qū)動LED顯示 | ○ |
雙時鐘系統(tǒng)可以提供四種工作模式(內(nèi)部HRC:~8MHz,LRC:~32kHz) normal模式:快慢頻時鐘均打開,快頻時鐘作為CPU時鐘源 slow模式:慢頻時鐘打開,慢頻時鐘(根據(jù)IHRC_IRTC來選擇LRC或LXT作為慢頻時鐘源)作為CPU時鐘源,快頻時鐘由STPHX決定是否開啟 green模式:CPU停止,慢頻時鐘打開,快頻時鐘由STPHX決定是否開啟;可通過P0/T0/TC0/ADC 喚醒 stop模式:快慢頻時鐘均關(guān)閉,僅可通過P0喚醒 |
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封裝形式 DICE/LQFP48/QFN40 |
芯片框圖
應(yīng)用方案
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